[发明专利]一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法在审
| 申请号： | 202210850227.X | 申请日： | 2022-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN115274430A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 丁桃宝;杨涛;黄鹏飞 | 申请（专利权）人： | 江苏晋誉达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/31;H01L21/677;H01L21/683;H01L21/687;H01L21/67;C23C16/458;C23C16/46 |
| 代理公司： | 苏州金项专利代理事务所(普通合伙) 32456 | 代理人： | 金星 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法，该方法包括以下步骤：S1、设备的前期准备；S2、将片盒内的硅片逐片送入到反应平台的所有容纳凹槽中；S3、反应平台继续旋转一个角度将第N反应工位上的硅片送至上料工位等待出料；S4、环形夹取机械手夹取已经反应好的硅片移送至冷却装置上冷却；S5、吸附机械手将片盒内的硅片送至缓存工位上；S6、硅片冷却完成后，换位板上升支撑已冷却的硅片旋转切换工位；S7、换位板下降使新的硅片放置在冷却装置上；S8、再将冷却装置上的硅片夹取到反应腔室，将缓存工位上的硅片放回至片盒内；S9、完成所有硅片的自动化学气相沉积；该方法简化工艺步骤，有效提高生产效率，保证硅片的生产质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 沉积 设备 硅片 连续 反应 冷却 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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