[发明专利]闪存器件、存储单元及其制造方法

摘要

本发明提供一种闪存器件、存储单元及其制造方法，所述存储单元包括衬底，垂直于衬底的第一立体沟道及第二立体沟道；相对设于第一立体沟道的两端的第一漏端及第一源端，相对设于第二立体沟道的两端的第二漏端及第二源端；至少部分环绕第一立体沟道的第一存储结构，至少部分环绕第二立体沟道的第二储存结构；覆盖第一存储结构及第二储存结构的栅极结构；以及，位于第一源端及第二源端之间的源线。本发明中，通过在垂直于衬底的方向设置的沟道结构、存储结构、源端、漏端及栅极结构，使得所形成的存储单元可占用较少的衬底面积，以此提高单位面积内设置存储单元的数量，即提高存储密度。