[发明专利]半导体结构及其制作方法、存储器、存储系统在审
| 申请号： | 202210852611.3 | 申请日： | 2022-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN115223999A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 陈赫;华子群 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/108;H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张雪;浦彩华 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例提出了一种半导体结构及其制作方法、存储器、存储系统，其中，半导体结构的制作方法包括：提供衬底；衬底包括第一半导体层及位于第一半导体层上的第二半导体层；形成贯穿第二半导体层延伸至第一半导体层中且沿第一方向排布的多个第一凹槽；形成贯穿第二半导体层且沿第二方向排布的多个第二凹槽；第一凹槽和第二凹槽将第二半导体层划分为多个呈阵列排布的有源柱；在多个第一凹槽和第二凹槽中形成第一介质层；去除第一半导体层，以暴露出部分第一介质层；沿第一方向相邻的两个暴露的部分第一介质层之间形成第三凹槽；在第三凹槽中形成与所述有源柱电连接的位线结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 存储器 存储系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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