[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210863090.1 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115050839A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 吴尚霖;陈衍豪 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板、第一氧化物层、绝缘图案、金属氧化物层、栅介电层、栅极、源极以及漏极。第一氧化物层位于基板之上。绝缘图案位于第一氧化物层上，且包括氮化硅层以及第二氧化物层。氮化硅层位于第一氧化物层与第二氧化物层之间。金属氧化物层接触第一氧化物层的上表面、绝缘图案的侧壁以及绝缘图案的上表面。栅介电层位于金属氧化物层上。栅极位于栅介电层上。部分绝缘图案位于栅极与基板之间。源极以及漏极电性连接金属氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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