[发明专利]一种相变存储单元及相变存储器在审
| 申请号： | 202210863735.1 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115811933A | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李响;郭艳蓉;陈鑫;马平;童浩 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种相变存储单元及相变存储器。该相变存储单元包括第一电极、第二电极和相变材料层，其中，相变材料层位于第一电极与第二电极之间，相变材料层包括掺杂铪(Hf)金属和/或铪化合物的母体相变材料，母体相变材料为包含锗(Ge)、锑(Sb)、碲(Te)、铋(Bi)中至少一种元素的材料。铪金属和/或铪化合物可以作为晶化过程中的晶核，加速相变材料层的晶化过程，从而提升SET操作速度；而且，掺杂铪金属和/或铪化合物可以填充母体相变材料处于晶态时的空位，减少相变材料层在相变前后的体积变化，从而降低空洞的产生，提升循环性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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