[发明专利]一种原位析出Bi等离子体修饰的稀土掺杂氯氧化铋多功能复合材料的制备方法和应用有效
申请号: | 202210868366.5 | 申请日: | 2022-07-22 |
公开(公告)号: | CN115212901B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 李永进;马俊浩;董晓艺;曹浩渺;宋志国;尹兆益;邱建备;王齐;韩缙 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | B01J27/06 | 分类号: | B01J27/06;B01J37/10;B01J37/08;C09K11/74;C02F1/30;C02F101/30;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38 |
代理公司: | 济南克雷姆专利代理事务所(普通合伙) 37279 | 代理人: | 辛修贤 |
地址: | 650000 云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明属于发光和光催化材料技术领域,特别涉及一种原位析出Bi等离子体修饰的稀土掺杂氯氧化铋多功能复合材料的制备方法和应用。所述的制备方法包括如下步骤:将铋源、稀土离子源和聚乙烯吡咯烷酮溶于乙二醇中,搅拌混匀后加入含有氯源的水溶液,得到混合溶液进行水热(溶剂热)反应,反应完毕,降温,离心、干燥,退火,得Bi等离子体修饰的稀土掺杂氯氧化铋多功能复合材料。本发明通过表面活性剂改性,使氯氧化铋纳米片厚度变薄,尺寸变小,分散性提高;通过退火使其析出金属Bi单质;通过稀土离子掺杂,使其在提高光催化性能的同时和具有发光性能,可以广泛应用于光催化、发光材料等领域,具有很高的实用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 原位 析出 bi 等离子体 修饰 稀土 掺杂 氧化 多功能 复合材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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