[发明专利]一种浮空T型栅及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210868730.8 申请日: 2022-07-22
公开(公告)号: CN115241285A 公开(公告)日: 2022-10-25
发明(设计)人: 宓珉瀚;马晓华;王鹏飞;陈治宏;周雨威;安思瑞;龚灿;张濛;杜翔 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L21/28
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 王丹
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及一种浮空T型栅及其制备方法,浮空T型栅包括,晶圆片、刻蚀牺牲层、栅脚、微型栅场板和栅帽。刻蚀牺牲层位于晶圆片上;刻蚀牺牲层中设置有栅脚凹槽,栅脚位于栅脚凹槽中。微型栅场板位于刻蚀牺牲层和栅脚上;栅帽位于微型栅场板上。本发明结合了电子束光刻与步进式光刻工艺,解决了多层光刻胶之间的互溶问题,提高了器件制备效率;采用蓝膜剥离工艺,有效解决留在金属蒸镀后,剥离过程中,由金属粘连造成的栅条坍塌问题,提高目前主流浮空T型栅技术的成品率;采用微型栅场板结构,明显提升了目前主流浮空T型栅结构在器件等比例缩小后导致的栅脚局部电场峰值剧增,击穿电压下降的问题。
搜索关键词: 一种 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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