[发明专利]一种新型磁性存储器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202210870853.5 | 申请日： | 2022-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN115020583A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 王明;哀立波;杨晓蕾;任艳;韩谷昌 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 夏菁 |
| 地址： | 311300 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器领域，特别是公开了一种新型磁性存储器件及其制作方法，包括驱动组件及MTJ组件；所述驱动组件用于对所述MTJ组件提供四个档位的工作电流；四个所述工作电流包括第一态电流、第二态电流、短路电流及熔断电流；所述MTJ组件包括磁性隧道结功能部及附着电阻层；所述附着电阻层设置于所述磁性隧道结功能部底部；所述附着电阻层的熔断电流大于所述磁性隧道结功能部的击穿电流。本发明通过给现有的磁性隧道结增设所述附着电阻层，成功使单个MTJ组件拥有四种状态，大大增加了新型磁性存储器的存储密度，在几乎不增加器件空间占用的同时使其实现更多存储状态，拓宽了所述新型磁性存储器的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 磁性 存储 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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