[发明专利]具有低调制电场和高介电可调性的蠕虫结构取向生长钡铁氧体薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202210872246.2 申请日: 2022-07-19
公开(公告)号: CN115216839B 公开(公告)日: 2023-10-17
发明(设计)人: 杜丕一;吕爽;马宁;王宗荣;戴正冠;樊谊军;何旭昭 申请(专利权)人: 浙江大学;杭州绿联研究院有限公司
主分类号: C30B28/02 分类号: C30B28/02;C30B29/22;H01F10/20;H01F41/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 万尾甜;韩介梅
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种具有低调制电场和高介电可调性的蠕虫结构取向生长钡铁氧体薄膜,该薄膜为钡过量的钡铁氧体薄膜,相对于化学计量钡铁氧体BaFe12O19,该薄膜中钡和铁的摩尔比为Ba:Fe=x:12,其中x=2~3;所述薄膜具有蠕虫状微结构形态,为(00l)取向多晶材料。得到的蠕虫结构钡铁氧体薄膜,具有低调制电场和高介电可调性,介电调谐率为最高60%,优值最高16,调制偏置电场150~400V/cm。本发明采用溶胶凝胶结合旋转涂布制备方法,过程简单、可控性强、制备周期短、成本低廉,可以得到在很低调制电场下表现出高介电调谐率的单相钡铁氧体薄膜材料。这种钡铁氧体薄膜在介电可调器件以及集成电路领域有广泛的应用。
搜索关键词: 具有 调制 电场 高介电可 调性 蠕虫 结构 取向 生长 铁氧体 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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