[发明专利]晶片研磨方法在审
| 申请号： | 202210874903.7 | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN115213809A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 付先达;谭秀文;朱荟吉 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/10;B24B37/34;B24B53/017 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种晶片研磨方法。晶片研磨方法包括以下依次进行的步骤：S1：从晶片的表面开始，使得研磨轮的工作面对所述晶片向下研磨第一厚度d1，所述晶片在第一厚度位置处形成在前研磨面；S2：使得所述研磨轮的工作面抬起离开所述晶片的在前研磨面，使用冲洗液冲洗所述研磨轮的工作面；S3：使得所述研磨轮下降，所述研磨轮的工作面从所述晶片的所述在前研磨面位置处继续向下研磨第二厚度d2，使得所述晶片形成在后研磨面；S4：重复循环n次所述步骤S2和S3，直至对所述晶片的总研磨厚度d达到预设阈值。本申请提供的晶片研磨方法，可以解决相关技术中出现碎屑堵塞研磨轮齿缝的问题，不利于后续的研磨进程的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 研磨 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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