[发明专利]基于PCB板的碳化硅MOSFET分立器件三相全桥杂散电感抑制方法在审
| 申请号： | 202210876551.9 | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN115209612A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 李耀恒;贺帅;张颖;帅志斌;郑阳俊;薛亚茹;李欢欢;成城;邹武俊 | 申请（专利权）人： | 中国北方车辆研究所 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02;H05K1/18;H05K3/00 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 辛海明 |
| 地址： | 100072*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于PCB板的碳化硅MOSFET分立器件三相全桥杂散电感抑制方法，属于宽禁带半导体碳化硅器件领域。本发明对三相全桥控制系统的工作参数解析求得支撑电容容值后，通过若干个小支撑电容通过并联的方式实现对直流侧纹波电压的抑制和直流电压的支撑，之后优化支撑电容的摆放方式，并结合PCB多层板设计，控制直流侧电流的流经路径，进而实现直流侧回路电流所产生感应磁场的互为抵消，降低整个功率回路的磁通量，从而抑制杂散电感的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 pcb 碳化硅 mosfet 分立 器件 三相 全桥杂散 电感 抑制 方法 | ||
【主权项】：
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