[发明专利]一种低电阻率硅单晶及其制备方法在审
| 申请号： | 202210876601.3 | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN115233292A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 陶莹 | 申请（专利权）人： | 北京麦竹吉科技有限公司;陶莹 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 朱晓彤 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及单晶硅生长技术领域，具体而言，涉及一种低电阻率硅单晶及其制备方法。该制备方法先将硼掺杂剂和硅原料混合并完全熔解，得到熔体，再向所述熔体中加入镓金属单质，最后，采用籽晶提拉生长，得到硅单晶。该低电阻率硅单晶采用上述的制备方法制备而成。该硅单晶为P型硅单晶，电阻率为0.001~0.003欧姆‑米。该制备方法通过掺杂镓，可以实现对低电阻率硅单晶进行晶格补偿，有效防止提拉生长过程中硅单晶内的晶格畸变而降低晶体缺陷。该制备方法先加入硼掺杂剂，再加入镓元素；防止在长时间的原料融化过程中镓元素的损失量较大，导致晶格补偿效果降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻率 硅单晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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