[发明专利]衬底表面刻蚀方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202210876665.3 | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN115323487A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 王波;房玉龙;尹甲运;张志荣;高楠;芦伟立;李佳;陈宏泰;牛晨亮 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/38;H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 刘少卿 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： |
本发明提供一种衬底表面刻蚀方法及半导体器件。衬底为SiC衬底或Si衬底，该方法包括：将衬底放入MOCVD设备的反应室内；对反应室内的环境条件进行第一次调整，以使反应室满足衬底刻蚀所需的环境条件；向反应室内通入载气，并向反应室内通入CBr4或CCl4，以对衬底进行刻蚀处理。CBr |
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| 搜索关键词： | 衬底 表面 刻蚀 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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