[发明专利]用于防止静电的空白掩膜和光掩膜及其制造方法在审
| 申请号： | 202210877739.5 | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN116256938A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 许翼范;金明用;崔相洙 | 申请（专利权）人： | 福尼克斯天安株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26;G03F1/38;G03F1/46;G03F1/48;G03F1/54 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 洪玉姬 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于防止静电的空白掩膜和光掩膜及其制造方法。一种空白掩膜及使用其制造的光掩膜包括：基板；以及遮光层，其中，遮光层包括存在于基板上的遮光膜和存在于遮光膜上的抗反射膜，遮光膜由以Cr或MoSi为主要成分的材料构成，并且主要成分的含量比构成为80％或更低，以增加电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 防止 静电 空白 光掩膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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