[发明专利]一种SGT-MOSFET元胞及其制造方法和一种电子装置在审
| 申请号： | 202210878815.4 | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN115458599A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 和巍巍;李学会 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀锋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种SGT‑MOSFET元胞，包括依次生成的N型衬底(1)、N‑外延层(2)、沟槽场氧化层(3)、第一隔离氧化层(4A)、第二隔离氧化层(4B)、栅氧化层(5)、第一屏蔽栅(6A)、第二屏蔽栅(6B)、P阱(7)、N+源区(8)、介质层(9)、背面金属(10)、控制栅(11)、沟槽(12)、正面金属(13)、接触孔(14)；第一屏蔽栅(6A)的导电多晶硅用于接源极电位，第二屏蔽栅(6B)导电多晶硅浮空；从而能够在使用时抬高沟槽(12)中部第一屏蔽栅(6A)拐角处电场，同时降低第二屏蔽栅(6B)拐角处即整个沟槽(12)底部的电场，使得漂移区纵向电场分布远离波浪形分布而接近矩形，优化电场分布，提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sgt mosfet 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
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