[发明专利]一种基于磁阻效应的单轴弱磁传感器敏感芯片在审
| 申请号： | 202210879508.8 | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN115236567A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 孙权;陈宝成;周志炜;尹延昭;刘兴宇;张鹏;王世宁;于洋 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 牟永林 |
| 地址： | 150028 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种基于磁阻效应的单轴弱磁传感器敏感芯片，它涉及一种弱磁传感器敏感芯片。本发明为了解决现有的弱磁传感器存在测量精度差的问题。本发明包括电极引线层(10)、四端惠斯通桥式磁阻(20)、置位/复位电流带(31)和偏置磁场带(41)，电极引线层(10)、四端惠斯通桥式磁阻(20)、置位/复位电流带(31)和偏置磁场带(41)由上至下依次封装，且电极引线层(10)与四端惠斯通桥式磁阻(20)之间，四端惠斯通桥式磁阻(20)与置位/复位电流带(31)之间，置位/复位电流带(31)与偏置磁场带(41)之间均设置有绝缘层；四端惠斯通桥式磁阻(20)中的四端惠斯通电阻桥层(21)封装在磁阻层(22)上。本发明用于弱磁测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁阻 效应 单轴弱磁 传感器 敏感 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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