[发明专利]一种增强光阱效应的织构表面光谱吸收涂层及其制备方法在审
申请号: | 202210882534.6 | 申请日: | 2022-07-26 |
公开(公告)号: | CN115642199A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 曾晓梅;瓦西里·帕里诺维奇;杨兵;王晨阳;王豪斌;刘修铭;黄家辉 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0216 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 李炜 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种增强光阱效应的织构表面光谱吸收涂层及其制备方法。该方法通过高温退火与氧化反应,巧妙借用元素扩散,使得衬底中扩散系数较高的元素扩散至衬底表面,在平坦的衬底表面生长出凸起氧化物,形成天然织构表面,以延长扩散过程,改善涂层的光谱吸收性能与高温稳定性。再通过沉积氧化层/氮化层/氮氧化层,作为抗反射层、抗氧化层、元素扩散抑制保护层,进一步提高涂层高温抗氧化性能。所述涂层由织构表面与保护层相结合,同时解决了高温下涂层内原子扩散、表面氧化而导致的结构破坏问题,将高温热稳定性提高至800℃。本发明提供的方法设备门槛低,绿色环保,不产生次生危害,步骤简单、成本低、可控性强、可用于工业化大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 增强 效应 表面 光谱 吸收 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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