[发明专利]FDSOI器件的制造方法在审
| 申请号： | 202210889938.8 | 申请日： | 2022-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN115274546A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 朱轶铮;陆连;李全波 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种FDSOI器件的制造方法，包括以下步骤：步骤S1，提供一FDSOI器件衬底，所述FDSOI器件衬底上自下而上依次设置有硅衬底、埋氧层、体硅层、氧化层和氮化硅层，所述FDSOI器件衬底上还形成有HYB区域沟槽；步骤S2，在所述FDSOI器件衬底上涂覆光阻；步骤S3，对步骤S2中的光阻进行回刻；步骤S4,对HYB区域沟槽内进行离子注入工艺；步骤S5，去除光阻；步骤S6，在HYB区域沟槽内进行硅外延生长。本发明解决了外延硅层生长时SOI区域和HYB区域边缘交界处硅生成速度较快在边界形成的凸起问题。 | ||
| 搜索关键词： | fdsoi 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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