[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法和应用在审
| 申请号： | 202210892121.6 | 申请日： | 2022-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN115346966A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 和巍巍;杨柳 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/04 | 分类号： | H01L25/04;H01L23/495;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/15;H01L23/31 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 钟连发 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种功率半导体器件及其制作方法和应用。其中，功率半导体器件包括陶瓷基板、包覆体、多个芯片和多个引线框架；陶瓷基板包括陶瓷基片、内金属箔片和外金属箔片，内金属箔片设于陶瓷基片的一侧，外金属箔片设于陶瓷基片与内金属箔片相对的另一侧；包覆体包覆于陶瓷基板，并将外金属箔片远离内金属箔片的一侧暴露于外部空间，芯片位于包覆体内且设于内金属箔片上，多个芯片之间相互间隔，单个芯片未与内金属箔片接触的一侧通过一个引线框架电性连接于内金属箔片。本申请将传统功率半导体器件中的引线接合替换为了引线框架，不仅提升了芯片的散热性能，还降低了热电阻，实现了器件的小型轻量化，从而提高了功率半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制作方法 应用 | ||
【主权项】：
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