[发明专利]双向SCR器件及双向SCR器件制造方法在审
| 申请号： | 202210896954.X | 申请日： | 2022-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN115274842A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 詹祖日 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 黄贞君;黎飞鸿 |
| 地址： | 201208 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种双向SCR器件及双向SCR器件制造方法，应用于半导体保护器件技术领域，包括：N+衬底，在N+衬底内设有第一P型掩埋层；N型外延层，在N型外延层内设有第二P型掩埋层和第三P型掩埋层，N型外延层的上表面设有N型掩埋层；P型外延层，P型外延层内设有四个深N区以及两个P阱，每个深N区内设有一个N型重掺杂区，每个P阱内设有一个P型重掺杂区；两个P型重掺杂区和两个N型重掺杂区与第一输入/输出端和第二输入/输出端连接。本申请的SCR器件的结构具有非常对称的保护特性，从第一输入/输出端到第二输入/输出端或者相反，经过相同的PNPN结构，两个方向的基区宽度相等，能力均衡，导通电阻相同，提高了在电路应用中的灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 scr 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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