[发明专利]一种具有防静电结构的MOSFET器件在审
| 申请号： | 202210903502.X | 申请日： | 2022-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN115274628A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;陆亚斌;王成 | 申请（专利权）人： | 深圳傲威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州荣谷知识产权代理事务所(普通合伙) 32612 | 代理人： | 韩国辉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出一种具有防静电结构的MOSFET器件，包括MOSFET器件本体，还包括ESD防护芯片，ESD防护芯片连接于MOSFET器件本体的源极和栅极之间，由ESD防护芯片对MOSFET器件本体进行静电防护。该MOSFET器件采用多芯片封装结构，对于MOSFET芯片的静电保护效果明显，可达到万伏特级别的静电防护，对MOSFET器件本体的结构没有修改需求，不增加MOSFET器件芯片的工艺步骤，对于MOSFET器件的实用性能影响很小，采用的ESD芯片具有优异的防静电能力，而且有超低的漏电流，超低的电容，除了起到静电保护功能外，完全不影响MOSFET器件的正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 静电 结构 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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