[发明专利]一种降低栅电荷的屏蔽栅沟槽型MOSFET制造方法有效
| 申请号： | 202210905390.1 | 申请日： | 2022-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN114975126B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 徐大伟 | 申请（专利权）人： | 威晟半导体科技（广州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 510000 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种降低栅电荷的屏蔽栅沟槽型MOSFET制造方法，属于MOSFET制造领域。提供衬底和其表面的外延层，在外延层中刻蚀出沟槽；在沟槽中填满介质层，对介质层进行刻蚀保留底部介质层；在沟槽中填充满多晶硅，并将其刻蚀成梯柱状结构；利用CVD进行介质层填充，介质层填充包围梯柱结构的多晶硅；刻蚀掉沟槽上部分介质层，保持梯柱状多晶硅上方有一定厚度的介质；通过热氧化形成顶部栅极氧化层，然后沉积栅极多晶硅，将顶部栅极多晶硅中间部分刻蚀掉，使顶部栅极多晶硅形成分离的两部分；最后通过常规屏蔽栅沟槽型MOSFET工艺，形成降低栅电荷的屏蔽栅沟槽型MOSFET的器件结构。本发明降低了顶部栅极与底部屏蔽栅之间的交叠电容，减小栅极电荷Qg。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 电荷 屏蔽 沟槽 mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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