[发明专利]基于动态的HDRB及HDGB测试方法和装置在审
| 申请号： | 202210905466.0 | 申请日： | 2022-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN115291070A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 柴俊标;贺庭玉;叶向宏 | 申请（专利权）人： | 杭州中安电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 杭州浙言专利代理事务所(普通合伙) 33370 | 代理人： | 胡勇康 |
| 地址： | 311123 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及MOSFET器件的可靠性测试技术，尤其涉及了基于动态的HDRB及HDGB测试方法和装置，用于MOSFET实验过程中，其热平台功能模块用于对测试模块DUT进行加热；VGS高速脉冲电源用于提供测试模块DUT的动态栅偏试验的偏置电压以及动态反偏及动态栅偏时提供反向截止电压；VDS高速脉冲电源用于提供测试模块DUT的动态反偏及动态栅偏试验的DS偏置电压；阈值测试模块用于提供测试模块DUT的阈值测试电压。通过本发明设计的测试装置能够在线进行动态的HDRB及HDGB测试，为国内三代半导体器件的发展过程中的可靠性试验提供有力保障。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 动态 hdrb hdgb 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
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