[发明专利]一种高可靠性的IGBT芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 202210905801.7 | 申请日： | 2022-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN114975602B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 刘坤;刘杰 | 申请（专利权）人： | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳卓启知识产权代理有限公司 44729 | 代理人： | 刘新子 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高可靠性的IGBT芯片及其制作方法，该IGBT芯片包括：元胞区和终端区；所述元胞区包括多晶硅衬底、栅极氧化层、多晶硅栅极区、第一P阱区、第二P阱区、N型掺杂区、P+接触区、绝缘介质层、正面金属层、钝化层、背面缓冲层，背面阳极区以及背面金属层，其中，所述第一P阱区和第二P阱区位于所述多晶硅栅极区的两侧区域，且第一P阱区的深度大于第二P阱区的深度。本发明能够在器件处于阻断状态时，沟槽栅两侧的较深的第一P阱区与N漂移层之间的PN结耗尽层扩展，将沟槽底部区域完全包裹，能够有效的屏蔽外部电场，降低沟槽底部栅氧处承受的电场应力，从而提升了器件的长期使用可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 igbt 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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