[发明专利]一种去除含碳杂质的方法和装置、以及多晶硅生产系统有效
| 申请号： | 202210920619.9 | 申请日： | 2022-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN115196635B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 李聚安;蔡云和;胡启红;詹丽;马永露;王廷海;郭洪星 | 申请（专利权）人： | 新特能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035;C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 邓伯英;罗建民 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐国*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开一种去除含碳杂质的方法，包括：对含有三氯氢硅、甲基氯硅烷的物料进行物理吸附处理，吸附分离出含碳杂质甲基氯硅烷，得到三氯氢硅和含有碳杂质甲基氯硅烷、三氯氢硅的吸附物；对所述吸附物进行脱附处理，得到再生料；将所述再生料中的碳杂质甲基氯硅烷中的甲基二氯硅烷转化为甲基三氯硅烷，得到混合料；对混合料进行精馏分离，分离出混合料中的碳杂质甲基氯硅烷，得到三氯氢硅。本发明还公开一种去除含碳杂质的装置、以及多晶硅生产系统。本发明能够深度分离三氯氢硅与甲基氯硅烷，去除含碳杂质，可用于处理多晶硅生产中的精馏排残物料，对精馏排残物料回收再利用，降低硅耗率，避免碳杂质在多晶硅生产系统中富集，确保多晶硅品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 杂质 方法 装置 以及 多晶 生产 系统 | ||
【主权项】：
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