[发明专利]一种功率MOSFET的复合栅极制造工艺在审
| 申请号： | 202210923047.X | 申请日： | 2022-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN115274419A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 黄传伟;谈益民 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/66;H01L23/544;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体的说是一种功率MOSFET的复合栅极制造工艺；先提供半导体衬底，之后在半导体衬底表面依次形成栅介质层和多晶硅层，之后在多晶硅层的表面形成硬质掩模层；进行光刻刻蚀形成多个栅极，各个栅极由刻蚀后的栅介质层、多晶硅层和硬质掩模层叠加而成，并在栅极侧面形成侧墙，形成接触孔刻蚀停止层以及由氧化层组成的层间膜；采用化学机械研磨工艺进行平坦化，并对氧化层、氮化层和多晶硅材料无选择性蚀刻方式的干刻工艺进行回刻实现第二次平坦化，之后得到各区域相平的栅极；本发明能实现控制栅极的高度并提高栅极高度的一致性，栅极的顶部表面能很好的稳定在多晶硅栅的顶部表面，所以能大大提高栅极高度的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mosfet 复合 栅极 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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