[发明专利]一种低压超结沟槽MOS器件的制备方法及结构有效
| 申请号： | 202210924492.8 | 申请日： | 2022-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN115020240B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 刘厚超;黄宇萍;马一洁;张雨;苏亚兵;苏海伟 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 党蕾 |
| 地址： | 201323 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低压超结沟槽MOS器件的制备方法及结构，涉及半导体技术领域，包括：步骤S1，于衬底上形成外延层；步骤S2，于外延层中形成至少一个柱区；步骤S3，于外延层中形成浮岛；步骤S4，于外延层中形成浅沟槽，且浅沟槽的底部设有硬掩蔽层，浅沟槽的侧壁设有栅氧化层；以及于外延层中形成深沟槽，深沟槽的底部和侧壁设有场氧化层，浅沟槽和深沟槽内形成多晶硅层；步骤S5，于柱区和浮岛的上方形成体区，然后于体区的上方形成注入区；步骤S6，进行介质层的淀积和多个接触孔的刻蚀，进行金属层的淀积和刻蚀。本发明器件的安全工作区更宽，过电流能力更大，栅极电荷及反向恢复电荷更小，特征导通电阻较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 沟槽 mos 器件 制备 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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