[发明专利]前体输送系统及其方法在审
| 申请号： | 202210925797.0 | 申请日： | 2022-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN115928046A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | J.L.温克勒;E.J.希罗 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/448 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种用于从固体或液体前体源输送大容量蒸发前体的半导体处理系统。该系统利用载气将蒸发前体供给到远程定位处理区，在该处理区中设置有多个处理模块。该系统包括第一和第二缓冲容积，其配置成减少压降并增加输送速率。还公开了一种用于将大容量蒸发前体输送到远程定位处理区的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 输送 系统 及其 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
