[发明专利]集成钳位二极管的超结4H-SiC IGBT器件在审
| 申请号： | 202210926822.7 | 申请日： | 2022-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN115148806A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 黄义;王学成;高升;刘斌;严文生;陈伟中;张红升 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 方钟苑 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种集成钳位二极管的超结4H‑SiC IGBT器件，属于功率半导体器件领域。该器件包括P+发射区、N+发射区、P‑body区、NCEL层、N‑drift区、N‑buffer区、P+集电区、P‑pillar区、P+shield区、金属集电极、金属浮空电极、栅极氧化层、多晶硅栅极、P+区、N+区和金属发射极。本发明引入P‑pillar区改善了漂移区内电场分布；注入P+shield区能够屏蔽栅极氧化层高电场；引入NCEL层作为空穴势垒层，具有载流子注入增强效应；器件顶部集成4H‑SiC PN二极管，既保证导通压降不增大，也减小了饱和电流密度，同时在器件关断时提供了一条空穴的快速抽取路径。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 二极管 sic igbt 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆邮电大学，未经重庆邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210926822.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
