[发明专利]电解加工用分流辅助硅电极、电解加工系统及方法在审
| 申请号： | 202210926868.9 | 申请日： | 2022-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN115138932A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 李勇;祝玉兰;刘国栋;佟浩 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B23H3/04 | 分类号： | B23H3/04;B23H3/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 于腾昊 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了电解加工用分流辅助硅电极、电解加工系统及方法。该硅电极包括：硅基体、绝缘层和金属层。硅基体包括夹持部和加工部，加工部远离夹持部一端的端面被设置为阴极面；硅基体表面上位于电极供电导电区外和阴极表面外的区域设有绝缘层；金属层包括电极供电导电端、分流阳极层、引线和阳极引出端，电极供电导电端设在位于电极供电导电区的硅基体上，分流阳极层位于加工部的绝缘层上，引线和阳极引出端位于夹持部的绝缘层上。该硅电极通过在阴极面一侧的绝缘层外设置分流阳极层来降低加工间隙外的杂散电流，使工件表面电流集中分布在加工间隙内，能够在不影响加工效率的同时约束材料蚀除范围，提高加工定域性和加工精度。 | ||
| 搜索关键词： | 电解 工用 分流 辅助 电极 加工 系统 方法 | ||
【主权项】：
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