[发明专利]无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法在审
| 申请号： | 202210930415.3 | 申请日： | 2022-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN115458002A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 祝智峰;徐正德;任杰;袁正平 | 申请（专利权）人： | 上海科技大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹;徐颖 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法，包括从上至下的反铁磁层、绝缘层和重金属层，反铁磁层和重金属层的两组写入电流在空间上相互垂直的，控制反铁磁层和重金属层的两组写入电流大小和方向，可控制反铁磁层中的Néel矢量向上或向下的状态，所述Néel矢量状态代表存储的不同信息。利用直流电流调控一种反铁磁装置的Néel矢量，实现数据写入，提高存储单元阵列排列密度，节约能耗。该垂直磁化反铁磁磁随机存储器存储单元，具有更高的磁矩翻转速度，并具有更好的存储稳定性，同时具有结构简单、速度快、抗杂散场扰动、非易失性的优点，本存储单元尤其在读写速度上更快。 | ||
| 搜索关键词： | 无需 外场 辅助 垂直 磁化 反铁磁 磁存储器 及其 存储 方法 | ||
【主权项】：
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