[发明专利]一种光电倍增管器件用薄层高阻硅外延片的制备方法

摘要

本发明涉及一种光电倍增管器件用薄层高阻硅外延片的制备方法，通过在硅衬底片装片前，设计对反应腔体以及石墨基座多次进行氯化氢气体的刻蚀和多晶硅包覆层的循环清洁过程，净化了反应腔体的生长环境，并且通过在硅外延层生长过程中精确调节工艺氢气的流量、三氯氢硅的流量、硅外延层反应生长的温度工艺参数，显著降低硅外延层的生长速率，从而延长薄层硅外延层的反应过程，扩大稳态生长阶段的占比，实现薄层高阻硅外延层的高均匀性分布，最终获得一种硅外延层厚度在1μm量级的薄层高阻硅外延层的制备方法，工艺简单，兼容性强，大大提升生产效率，节省生产成本，适合工业化连续生产，满足光电倍增管器件用薄层高阻硅外延片的生产订单交付要求。