[发明专利]一种MOS晶圆薄膜制备方法在审
| 申请号： | 202210931579.8 | 申请日： | 2022-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN115274407A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 刘道国 | 申请（专利权）人： | 深圳市尚鼎芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京卓岚智财知识产权代理有限公司 11624 | 代理人： | 任漱晨 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南山区西丽街道西丽*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种MOS晶圆薄膜制备方法，包括：步骤11、对第一圆晶SiC片(100)进行离子束注入和辐照形成具缺陷层(102)；将第一圆晶正面设于安装座上；步骤12、对第一组件(500)进行退火处理；步骤13、沿缺陷层(102)将第一圆晶SiC片(100)剥离掉；步骤14、在剥离面上外延生长SiC延伸层(300)；步骤15、将第一组件(500)和硅衬底(400)通过第三粘接介质层(301)和第四粘接介质层(401)键合；步骤16、去除掉第一圆晶SiC片(100)，得到MOS晶圆薄膜。将缺陷层剥离后并进行退火，恢复晶圆的结构和消除缺陷，使得碳化硅晶圆上同质生长外延层，得到单晶碳化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
