[发明专利]一种氮化镓MOSFET导通损耗功率限制电路有效
| 申请号： | 202210935791.1 | 申请日： | 2022-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN115276627B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 孙磊;羊林 | 申请（专利权）人： | 佛山市南海区赛德声电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/082 | 分类号： | H03K17/082;H03K17/687 |
| 代理公司： | 广州市科丰知识产权代理事务所(普通合伙) 44467 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 528200 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓MOSFET导通损耗功率限制电路，包括信号输入端、第一MOSFET管和第二MOSFET管，还包括与第一MOSFET管连接用于对第一MOSFET管进行工作电压实时取样的第一取样电路、与第二MOSFET管连接用于对第二MOSFET管进行工作电压实时取样的第二取样电路、分别与第一取样电路及第二取样电路连接用于将取样信号根据设定进行处理生产限制反馈信号的反馈处理模块和用于根据信号分别驱动第一MOSFET管及第二MOSFET管通断的驱动模块，所述反馈处理模块和信号输入端分别与一用于生成控制信号输入到驱动模块控制第一MOSFET管及第二MOSFET管通断的控制信号处理模块连接从而形成自动损耗功率限制结构。通过本发明能够有效进行保护，提高工作稳定性和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 mosfet 损耗 功率 限制 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市南海区赛德声电子有限公司，未经佛山市南海区赛德声电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210935791.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种计算机机箱防虫结构
- 下一篇：显示面板及显示装置
