[发明专利]用于在至少一个基底上沉积铬或铬合金层的受控方法在审
| 申请号： | 202210937931.9 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN115216815A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | A.瓦尔特;O.耶夫图申科;F.保利希 | 申请（专利权）人： | 安美特德国有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/06 | 分类号： | C25D3/06;C25D3/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 段菊兰;李唐 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明涉及用于在至少一个基底上沉积铬或铬合金层的受控方法，该方法包括步骤（a）提供含水沉积浴，其中所述浴包含‑三价铬离子，‑溴离子，‑碱金属阳离子，总量为0 mol/L至1 mol/L，基于所述沉积浴的总体积，并且所述浴具有‑在4.1至7.0范围内的目标pH，（b）提供至少一个基底和至少一个阳极，（c）将至少一个基底浸入含水沉积浴中并施加直流电，使得铬或铬合金层沉积在基底上，所述基底是阴极，其中在步骤（c）期间或之后，沉积浴的pH低于目标pH，（d）在步骤（c）期间或之后将NH |
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| 搜索关键词： | 用于 至少 一个 基底 沉积 合金 受控 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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