[发明专利]一种三维阵列碳纳米管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210938975.3 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115367737A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 官操;张海峰;刘洋;许雪雅;孟婷 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C01B32/162 | 分类号： | C01B32/162;C01B32/168;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 | 代理人： | 云燕春 |
| 地址： | 71007*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种三维阵列碳纳米管及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域；所述碳纳米管单根直径为30‑50nm,长度为2‑3μm。制备方法步骤为：步骤1：在基底上生长氧化物纳米阵列作为模板，并在烘箱中干燥完全；步骤2：在步骤1得到的氧化物纳米阵列上包覆碳层；步骤3：在400‑800℃下进行化学气相沉积CVD反应，在反应过程中去除模板以及完成表面碳化过程，最终得到所述三维阵列碳纳米管。本发明制备工艺简单，成本低廉，易于调控，可大规模生产。可用于催化、能源及复合材料等领域。与传统方式制备的无序堆叠的碳纳米管相比，本发明制备了高度有序的垂直氮掺杂碳纳米管(V‑CNTs)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 阵列 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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