[发明专利]一种制备锥形硅基实心微针阵列的方法在审
| 申请号： | 202210942514.3 | 申请日： | 2022-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN115285931A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 朱五林 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 李晓莉 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制备锥形硅基实心微针阵列的方法，包括：(1)选取单抛单晶硅片，所述单抛单晶硅片包括彼此相反的抛光面和第二表面，在抛光面和第二表面上分别沉积氮化硅保护膜，利用磁控溅射在抛光面的氮化硅保护膜上镀铝保护膜；(2)利用光刻工艺将掩模板图形转移到抛光面的铝保护膜上；(3)对铝保护膜进行刻蚀，对抛光面上的氮化硅保护膜进行刻蚀；(4)对步骤(3)后硅片抛光面进行各向异性刻蚀得到圆柱体阵列结构；(5)对步骤(4)后的硅片进行各向同性湿法腐蚀，刻蚀出径向可控的锥形阵列结构，腐蚀液置于冰水混合物槽中；(6)清洗步骤(5)后的硅片，去除硅片上残余酸性腐蚀液。本发明解决了硅圆柱径向刻蚀速率调制问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 锥形 实心 阵列 方法 | ||
【主权项】：
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