[发明专利]一种逆导型MOS栅控晶闸管的制造方法在审
| 申请号： | 202210949239.8 | 申请日： | 2022-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN115172165A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 刘超;汪淳朋;杨超;陈万军;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L29/06;H01L29/745;H01L29/749 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管的制造方法。本发明中的一种逆导型MOS栅控晶闸管的制造方法，在进行结终端场限环注入的同时，在元胞区注入形成P+区，等效增加了器件反向导通时PN结的P区浓度，减小了器件反向的反向导通压降。本发明的一种逆导型MOS栅控晶闸管的制造方法，能够与现有MOS栅控晶闸管工艺相兼容。本发明的有益效果为：在牺牲器件部分正向导通能力的基础上，大幅提升了器件的反向导通能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 mos 晶闸管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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