[发明专利]高精度共晶装置及共晶方法在审
| 申请号： | 202210954512.6 | 申请日： | 2022-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN115172252A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 李金龙;李德荣;李银拴 | 申请（专利权）人： | 佑光智能半导体科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/68;H01L21/67;H01L21/66;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及共晶技术领域，具体公开了一种高精度共晶装置及共晶方法，高精度共晶装置包括工作台、以及设置在工作台上的收放料机构、共晶机构和驱动机构，收放料机构包括吸嘴，驱动机构包括X轴驱动组件、Y轴驱动组件和Z轴驱动组件，X轴驱动组件和Z轴驱动组件用于驱动吸嘴运动，Y轴驱动组件用于驱动共晶机构运动，通过驱动机构的驱动使得芯片精准的放置放料处，从而提升了芯片共晶时的精度；共晶方法为：在吸嘴取料过后，X轴驱动组件调整吸嘴在X轴方向上的位置，Y轴驱动组件调整共晶机构在Y轴方向上的位置，调整过后通过Z轴驱动组件将芯片放置在共晶机构上实现共晶。本申请具有减小芯片共晶时的位置偏差，提高共晶精度的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 高精度 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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