[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210956769.5 | 申请日： | 2022-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN115566021A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德;马哈维;张惠政;林耕竹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一类型的第一晶体管装置及第二类型的第二晶体管装置。第一晶体管装置包括第一纳米结构、第一对源极/漏极结构及第一纳米结构上的第一栅极结构。第二类型的第二晶体管装置形成在第一晶体管装置上方。第二晶体管装置包括第一纳米结构上方的第二纳米结构、第一对源极/漏极结构上方的第二对源极/漏极结构及第二纳米结构上及第一纳米结构上方的第二栅极结构。半导体装置还包括与第一及第二纳米结构接触的第一隔离结构及与第一对源极/漏极结构的顶表面接触的第二隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
