[发明专利]一种以氧化铯为助熔剂的β-BBO晶体生长方法在审
| 申请号： | 202210959686.1 | 申请日： | 2022-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN115233286A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张婷婷;谭云东;方治文 | 申请（专利权）人： | 山东重山光电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B9/06 | 分类号： | C30B9/06;C30B29/10 |
| 代理公司： | 山东舜源联合知识产权代理有限公司 37359 | 代理人： | 孙玉营 |
| 地址： | 255138 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种以氧化铯为助熔剂的β‑BBO晶体生长方法，包括以碳酸钡、硼酸为原料，以氧化铯为助熔剂，将原料及助熔剂装入铂金坩埚置于晶体生长炉中，升温至第一温度化料，降温至第二温度后向熔体中下入籽晶，晶体开始生长，继续降温至晶体生长结束，将晶体提离液面降温至室温即得。本发明提供的以氧化铯为助熔剂的β‑BBO晶体生长方法，采用氧化铯为助熔剂，可以降低熔体的粘度，降低β‑BBO晶体的饱和点，获得高质量的β‑BBO晶体；本发明提供的以氧化铯为助熔剂的β‑BBO晶体生长方法可制得尺寸为40mm×30mm的单晶，晶体尺寸大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 熔剂 bbo 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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