[发明专利]GaN基蓝绿光二极管外延结构及其制备方法、LED在审
| 申请号： | 202210959724.3 | 申请日： | 2022-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN115332405A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 胡清富;徐亮;张文燕;邓宝平;阮钇 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 王建宇 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了GaN基蓝绿光二极管外延结构及其制备方法、LED，涉及光电子制造技术领域。其中，蓝绿光二极管的制备方法为：在衬底上依次生长第一AlGaN层、第二AlGaN层、非掺杂GaN层、u‑GaN层、n‑GaN层、多量子阱层、低温p‑GaN层、p‑AlGaN层、高温p‑GaN层、p‑GaN接触层；最后在600‑900℃退火处理3～15min，即得。其中，第一AlGaN层的生长温度为500‑900℃，生长压力为100‑600Torr，V/Ⅲ比为50‑1000；第二AlGaN层的生长温度为800‑1000℃，生长压力为200‑500Torr，V/Ⅲ比为500‑2500。实施本发明，可提高发光二极管的抗静电强度和发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | gan 蓝绿 二极管 外延 结构 及其 制备 方法 led | ||
【主权项】：
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