[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210966901.0 | 申请日： | 2022-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN115588687A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 陈彦廷;林柏劭;李威养 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提出一种半导体装置的制造方法。此方法包含在多膜层堆叠中图案化鳍片的步骤，以及形成开口于鳍片中并穿至基板之中。自沿着开口的侧壁所露出的通道外延地成长第一半导体材料以形成第一源极/漏极结构。自第一半导体材料外延地成长第二半导体材料以形成第二源极/漏极结构于第一源极/漏极结构上方。第二源极/漏极结构的底部位于第一源极/漏极结构的最底表面下方。第二半导体材料具有大于第一半导体材料的锗体积浓度百分比。通过移除多膜层堆叠的牺牲层来形成纳米结构堆叠，第二半导体材料电性地耦合至纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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