[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202210970014.0 | 申请日： | 2022-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN115707238A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 樫山翔太;蔡伟立 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/20;H10B43/30;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 万利军;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够实现高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置，具备基板、布线层区域、层叠体、半导体主体、存储部及柱状部。所述层叠体具有面对所述布线层区域的端部来作为所述第1方向的端部。所述柱状部具有位于所述层叠体的所述端部的第1部分和位于比所述第1部分靠近所述基板的位置的第2部分，与所述第1方向交叉的第2方向上的所述第2部分的中心，相对于所述第2方向上的所述第1部分的中心，在所述第2方向上偏离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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