[发明专利]一种深缓冲层高密度沟槽的IGBT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210973107.9 | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115332329A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 秦潇峰;石亮;胡玮 | 申请（专利权）人： | 重庆万国半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海爱智善知识产权代理有限公司 31450 | 代理人： | 王占房 |
| 地址： | 400700 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深缓冲层高密度沟槽的IGBT器件及其制备方法，涉及半导体器件制造领域，包括如下步骤：A、外延层的制备；B、正面终端结构的制备；C、正面高密度沟槽MOSFET结构的制备；所述高密度沟槽包括若干元胞活性沟槽、元胞伪沟槽、划片道沟槽；D、电路链接层和钝化层的制备；E、晶圆背面的制备。本发明有利于缓解在大尺寸晶圆上生产IGBT器件的翘曲问题，并且缓冲层的深度以及浓度易于调节，可以充分满足应用的需求，并提高IGBT芯片的产出率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缓冲 层高 密度 沟槽 igbt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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