[发明专利]碳化硅晶体生长装置、系统及方法在审
| 申请号： | 202210981679.1 | 申请日： | 2022-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN115182038A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 周荣国;邹路;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 宁波恒普真空科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B28/12;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 孙玲 |
| 地址： | 315300 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域，在坩埚组件内设置有筒状的过滤组件，过滤组件的外壁与坩埚组件的内壁之间形成有用于放置碳化硅原料的环形原料腔；本发明中环形原料腔靠近坩埚组件内壁设置，保证原料区域温度的均匀性，避免碳化硅原料在传质过程中产生重结晶；而且过滤组件能对石墨化颗粒进行阻挡，减少碳包裹物的产生；导流环的材质为石墨，且其下表面形成有平面阻挡区，在碳化硅晶体生长初期，富硅气相组分与导流环下表面接触时，反应生成气相组分SiC，减小富硅气氛带来的不良影响。本发明还公开一种碳化硅晶体生长方法，通过升温‑保温‑降温的方式对碳化硅原料进行预处理，提高生成的碳化硅晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体生长 装置 系统 方法 | ||
【主权项】：
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