[发明专利]一种MEMS芯片低应力多孔阵列封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 202210992757.8 | 申请日： | 2022-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN115285925A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 商兴莲;凤瑞;宋金龙;解亚飞;周六辉 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 张倩倩 |
| 地址： | 233030 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS芯片低应力多孔阵列封装结构及封装方法，所述方法包括多孔阵列结构的硅基板的加工；所述基于多孔阵列结构的硅基板的加工包括以下步骤：准备单晶硅晶圆，底部刻隔离腔，顶部刻蚀多孔阵列结构，刻蚀划片槽，沿划片槽划片形成单个硅基板，本发明通过在硅基板底部刻蚀隔离腔，使得硅基板下表面与多孔阵列结构底面产生了台阶，通过环形粘胶固定在封装管壳底面上，既实现了机械固定又降低了硅基板的粘接应力。台阶可避免硅基板底面施胶过多溢出导致与多孔阵列结构底面粘连，且通过设置多孔阵列结构，使得产品在给MEMS芯片与硅基板提供足够强度的同时，又能释放封装管壳与硅基板之间的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 芯片 应力 多孔 阵列 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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