[发明专利]垂直晶体管及其制造方法、存储单元在审
| 申请号： | 202210993592.6 | 申请日： | 2022-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN115832007A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 李辉辉;张云森;王桂磊;赵超 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336;H10B12/00;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 宋海斌;韩卫城 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种垂直晶体管及其制造方法、存储单元。在本申请实施例提供的垂直晶体管中，通过设置半导体层包括间隔设置的第一半导体层和第二半导体层，且第一半导体层和第二半导体层分布在第一栅极的侧壁，从而通过第一栅极能够同时向第一半导体层和第二半导体层施加电场，能够同时驱动第一半导体层和第二半导体层，从而能够提高垂直晶体管的开态电流，进而能够提升垂直晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 晶体管 及其 制造 方法 存储 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京超弦存储器研究院，未经北京超弦存储器研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210993592.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
