[发明专利]一种在铜箔-石墨烯衬底上制备SiC纳米线网络薄膜的方法在审
| 申请号： | 202210997094.9 | 申请日： | 2022-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN115285996A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 牛晓巍;刘雪冰;张佐元;臧艺;杜柳;马力歌;翟配郴;尉国栋 | 申请（专利权）人： | 沈阳大学 |
| 主分类号： | C01B32/956 | 分类号： | C01B32/956;C25D13/02;C25D13/22;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在铜箔‑石墨烯衬底上制备SiC纳米线网络p‑n结薄膜的方法，包括以下步骤：以铜箔‑石墨烯为阴电极，铂片为阳电极；将电极放置含有不同掺杂种类的SiC纳米线的电泳液中；结合电泳沉积、纳米线热压焊接和转移工艺，最终可以获得SiC纳米线网络pn结和pin结薄膜。该方法工艺简单，成本低，制备的薄膜面积大，高效率且安全易操作，有利于商业化大规模生产，制备出的SiC纳米线薄膜集成了一维纳米线和二维网络薄膜的优点，具有宏观尺寸的二维网络编织结构比由微米以上尺寸组成的结构具有更加优异的性能。另外，本发明提供了一个有效的自下而上的组装纳米结构的方式，且对低维纳米结构具有一定的普适性，可以借鉴到其他半导体纳米薄膜的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜箔 石墨 衬底 制备 sic 纳米 网络 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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