[发明专利]一种AlInGaN发光和探测集成芯片有效
| 申请号： | 202211002317.X | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN115084116B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 至善时代智能科技（北京）有限公司;至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/102;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 霍苗 |
| 地址： | 102629 北京市大兴区中关村科技园区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及紫外发光芯片技术领域，尤其涉及一种AlInGaN发光和探测集成芯片；本发明所述AlInGaN发光和探测集成芯片包括AlInGaN紫外发光芯片和AlInGaN紫外探测器芯片；所述AlInGaN紫外发光芯片和AlInGaN紫外探测器芯片的外延结构独立的包括衬底和设置在所述衬底一侧表面的功能层；所述AlInGaN紫外发光芯片的功能层和AlInGaN紫外探测器芯片的功能层之间通过隔离层隔离。所述AlInGaN发光和探测集成芯片使芯片在发光的同时，能够实时监测发光强度的大小，监测紫外强度随时间的衰减情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 alingan 光和 探测 集成 芯片 | ||
【主权项】：
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